“近期产品价格上调了10宁夏防火门胶厂家，所有类型产品类型都有涨价。”某功率半体公司人士向财联社记者表示道。
这并非个例，2026年开年以来，功率半体行业迎来轮密集涨价潮。
英飞凌、德州仪器等海外厂商率先发布涨价函，国内厂商随后跟涨。其中，宏微科技(688711.SH)面表示，已对部分IGBT提价约10；捷捷微电（300623.SZ）MOSFET产品此前已上调10-20，IGBT产品自本月起上调10-20；新洁能(605111.SH)MOSFET产品自3月1日起上调10起。
这轮涨价的核心手是AI数据中心。
英飞凌在涨价函中明确表示，AI用数据中心的部署致多款功率开关及集成电路出现供应短缺。
在需求爆发的同时，全球8英寸成熟制程产能持续收缩，上游原材料和代工封测成本全线上涨，功率半体正面临供需两端的挤压。
AI挤占8英寸产能涨价潮短期难退
MOSFET是本轮涨价中先告急的品类。
新洁能在涨价函中指出，上游原材料及关键贵金属价格大幅攀升，致晶圆代工及封测成本持续上涨，公司MOSFET产品自2026年3月1日起价格上调10起；捷捷微电MOSFET成品自2月1日起上调10至20，公司在投资者关系活动中表示，目前南通端功率半体器件产业化项目已实现约13万片/月产出，旨在缓解MOSFET产能紧张；芯联集成（688469.SH）也在今年季度完成了对MOSFET产品的价格调整。
MOSFET率先提价，原因在于其对8英寸晶圆产能的消耗大。
单台AI服务器对压 MOSFET、电源管理 MOSFET 的需求，AI服务器对压MOSFET需求大幅增长，加剧了8英寸产能的紧缺。
IGBT的涨价节奏略慢于MOSFET，但近期已经确立趋势。
Trendforce集邦咨询分析师昊骏告诉财联社记者，部分海外龙头厂商及部分国产厂商已发出涨价通知，车规硅基IGBT芯片涨幅约在10至20之间。
宏微科技证券部人士近日向以投资者身份致电的财联社记者表示：“我们低端产品普遍涨价10左右，主要是IGBT部分。上游成本上涨，下游需求也渐渐回暖。”
某功率半体大厂人士也向财联社记者确认，包括IGBT在内的所有产品均有大约10的价格上升，原因是“市场在恢复、成本在上升。”
芯联集成管理层近期在公司业绩交流会上表示，IGBT产品近期需求增长明显，“判断未来IGBT产品供需均衡将破，将出现需求大于市场供给的情况”。
不过，昊骏也指出，并非所有厂商都选择了跟涨。仍有许多国产厂商为了借涨价潮占市场或维持订单量，选择自行吸收成本，芯片或模块仍维持原价。
某国内厂商在被问及是否跟涨时向财联社记者表示目前仍“关注中”。
MOSFET和IGBT同时涨价的背后宁夏防火门胶厂家，是AI数据中心、新能源车和上游成本三重因素的叠加。
需求端，AI数据中心是大的增量来源。德州仪器2026年季度财报显示，其数据中心业务营收同比增长约90。
英飞凌科技CEO Jochen Hanebeck在2026财年季度财报会上表示，AI数据中心的电源解决案仍是公司，英飞凌预计2027财年AI数据中心相关营收将达约25亿欧元，2025财年该项营收已增长近三倍、过7亿欧元。
昊骏进步指出，厂商选择优先向AIDC产业链客户供货，由于AIDC产品目前对标类车规标准，两者产品规格及特有定通用度，厂商为占AIDC市占率，进步挤压了车规芯片的供应。
新能源车的需求也在同步拉动。华润微在近期机构调研中表示，新能源域光伏、储能、充电桩等需求持续释放，部分料号已出现满载溢出；汽车电子面，去年入的新客户与新项目正进入放量阶段。
供给端的收缩在放大这种紧张。
根据TrendForce集邦咨询数据，台积电、三星持续削减8英寸成熟制程产能，全球8英寸产能至2027年上半年将维持负增长，集邦咨询预估，2026年全球8英寸晶圆代工厂平均产能利用率将从2025年的75至80攀升至85至90，部分晶圆厂已通知客户调涨代工价5至20，且为不分客户、不分制程平台的调价。封测端同样紧张，部分封测大厂产能利用率直逼满载，近期启动涨价，涨幅近30。
昊骏表示，从成本端看，只要原材料价格维持位、封装成本居不下，相关功率半体产品价格下探空间有限。从产能端看，泡沫板橡塑板专用胶多数新产能预计在2026年底或2027年后才会释放，供需紧张预计将持续6至12个月。
多企业的产能和订单数据也在印证这判断。
华润微(688396.SH)近期在调研中表示，6英寸、8英寸及重庆12英寸产线自去年四季度以来持续满载，在手订单能见度已至今年下半年。
扬杰科技（300373.SZ）预计2026年季度归母净利润同比增长20至40，公司在业绩预告中指出，当前正处于上行周期的初期阶段。
英伟达800V架构来了碳化硅、氮化镓加速扩产
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在传统功率半体供需紧张的同时，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的三代半体材料正在迎来个全新的需求入口——AI数据中心。
英伟达在2025年技术大会上将800V压直流（HVDC）架构确立为下代AI工厂的核心供电案。这套架构已获得广泛支持，包括英飞凌、安森美、意法半体、德州仪器、英诺赛科（02577.HK）在内的主流半体厂商均已宣布支持800V供电案。
在这其中，功率半体是电力电子系统中实现电能转换、控制与传输的核心器件。传统的54V机架配电系统为千瓦机架设计，当机架功率过200千瓦后，空间受限、铜缆过载、散热困难等问题接踵而至。
在此情况下，市场研究机构行说三代半半体研究总监张文灵告诉财联社记者，AIDC将成为三代半体的下个爆发式增长市场，需求强劲且明确。
碳化硅和氮化镓在800V架构中各有分工。张文灵介绍，在配电端，传统工频变压器将逐步被固态变压器（SST）、中压直供800V电源系统等新型案取代，这些案通常采用碳化硅，单台固态变压器的碳化硅器件用量可达数百颗。
在机柜内部，板载电源需要氮化镓来提升率和功率密度，兆瓦DC-DC模块的氮化镓器件用量可1000颗。
张文灵还指出，AIDC对率和功率密度要求，且对成本不敏感，为碳化硅和氮化镓开辟了附加值的空间，可以缓解企业在新能源汽车和消费电子域的价格和利润压力。
但从渗透进度看，三代半体在AIDC中的应用仍处于早期。
昊骏指出，碳化硅入AIDC电源类部件目前处于起步阶段，市场仍以车用域为主。碳化硅与800V电压架构发展明显绑定，但800V架构大的门槛在于电网升，因此碳化硅整体渗透率的成长速度相对较慢。
昊骏同时表示，目前，随着AIDC需求加入，碳化硅相关器件也面临成本上涨，但涨幅相较硅基IGBT较为缓和。
需求向明确，国产厂商亦已经具备接住这波需求的实力。
根据Omdia发布的2025年功率半体报告，前四名厂商英飞凌、安森美、意法半体和三菱电机依然稳固，厂商士兰微（600460.SH）在2025年次进入全球前五行列。
三代半体或将成为国内功率半体企业扩大声量的重要机遇。
张文灵确认，国产碳化硅和氮化镓厂商已具备在AI域应用的实力。碳化硅面，通用力服务器电源已广泛入国产碳化硅二管，部分先厂商的SiC MOSFET已与数据中心电源、固态变压器等域达成实质作。
氮化镓面，国内头部厂商技术水平已与厂商并驾齐驱，产品已成功进入英伟达、浪潮等头部客户供应链。
从企业层面看，天岳（688234.SH）2025年碳化硅衬底全球市占率跃居位，破了Wolfspeed多年的垄断，8英寸产品全球市占率突破50。
英诺赛科是英伟达800V系统供应商名单中唯的本土企业，近期已成功供货谷歌，其8英寸氮化镓晶圆产线月产能已从1.3万片提升至2万片。
比亚迪半体则出了全球款可批量装车的1500V耐压大功率碳化硅芯片。
面对AI和新能源车的双重拉动，国内外企业均在密集扩产。
海外面，英飞凌斥资50亿欧元在德累斯顿建设的智能功率半体工厂将于2026年夏启用；意法半体在意大利卡塔尼亚新建8英寸碳化硅工厂，总投资50亿欧元，预计2026年投产；安森美斥资20亿美元在捷克建设碳化硅工厂。
国内企业的扩产节奏同样紧凑。
时代电气（688187.SH）三期株洲碳化硅产线已于2025年12月底拉通，正式投入生产；芯联集成日前表示，公司正积进12英寸碳化硅产线扩产；扬杰科技在越南投资建设座车规6英寸晶圆工厂，设计年产能240万片，预计2027年季度量产；株洲中车8英寸碳化硅晶圆线于去年底通线，总投资53亿元，年增36万片产能；斯达半（603290.SH）15亿元可转债已获批用于加码车规SiC和GaN模块产能建设。
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